具有电阻修改掺杂区的半导体元件及其制造方法

本申请案公开一种半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一井区，位于该基板内；一隔离结构，位于该井区中；一熔丝介质，位于该井区之上；一栅极电极，位于该熔丝介质之上；一熔丝掺杂区，位于该熔丝介质之下及该井区内；一源极/漏极区，位于相邻于该熔丝掺杂区的位置；以及一电阻修改掺杂区，与该熔丝掺杂区部分地重叠。该熔丝掺杂区及该电阻修改掺杂区具有一第一导电类型，且该井区具有与该第一导电类型不同的一第二导电类型。