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기록
半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统
발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
朴正训; 姜周宪
IPC 분류
H10B 41/27 (2023.01)H10B 41/35 (2023.01)H10B 41/41 (2023.01)H10B 43/27 (2023.01)H10B 43/35 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)
提供了一种具有改善的电特性和可靠性的半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统。该半导体存储器件可以包括：衬底；模制结构，包括在第一方向上交替堆叠在衬底上的多个模制绝缘层和多个栅电极；以及沟道结构，穿过模制结构形成，并且在第一方向上延伸，其中，沟道结构包括沟道层以及设置在多个栅电极和沟道层之间的离子导电层。