微电子装置、存储器装置及电子系统

本申请涉及微电子装置、存储器装置及电子系统。一种微电子装置可包含平面，该平面包括在第一方向上平行地水平延伸且在正交于第一方向的第二方向上与狭槽结构水平交替的块。该块可包含个别地包含导电材料及与导电材料竖直相邻的绝缘材料的层面。装置还可包含额外平面，以在所述第二方向上与平面水平相邻且包含与该块类似的额外块。至少一个源极结构可竖直下伏于所述平面及额外平面的水平区域并与平面及额外平面的水平区域水平重叠。平面分离区可沿第二方向插置在平面与额外平面之间。平面分离区可在第二方向上具有小于或等于该块中的一者与狭槽结构中的两者在第二方向上的经组合水平宽度的水平宽度。