半导体结构及其制造方法、存储系统

本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。半导体结构包括连接结构、第一沟道结构和连接部。第一沟道结构包括沿第一方向延伸的第一沟道层和环绕第一沟道层的第一功能层。第一功能层包括在第一方向上间隔排布的第一子部分和第二子部分。第一子部分位于第一沟道层与连接结构之间。连接部位于第一子部分和第二子部分之间，并与第一沟道层和连接结构接触。第一方向与第二方向相交。