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기록
存储阵列及其制作方法、存储器及电子设备
발명유효
6조회수
13청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
汪超; 徐彦楠; 王啸; 苏笛清; 顾俊星; 吕杭炳
IPC 분류
H10B 53/10 (2023.01)H10B 53/20 (2023.01)H10B 53/30 (2023.01)
本申请实施例提供一种存储阵列及其制作方法、存储器及电子设备,旨在增加了存储阵列中存储单元的数量,进而提高存储器的存储容量。本申请实施例提供的存储阵列包括多个阵列设置的导电柱,多个导电板沿导电柱长度方向间隔设置,第一列的多个导电柱和第二列的多个导电柱均贯穿同一导电板,存储单元位于导电柱与导电板之间,在同一导电板上可以根据存储单元的尺寸设置第一列存储单元和第二列存储单元之间的间距,提高了存储阵列中存储单元的密度,实现了在同样的尺寸下可以设置更多的存储单元,增加了存储阵列中存储单元的数量,进而提高存储器的存储容量。