存储芯片结构及其制备方法

本申请公开了一种存储芯片结构及其制备方法。该存储芯片结构包括基底，基底具有第一表面；阵列区，阵列区包括第一连接线，磁性隧道结、顶部电极、第一连接部和位线，其中，第一连接线设置在第一表面上，磁性隧道结设置在第一连接线背离基底一侧，位线设置在第一表面上，位线与第一连接线相邻设置，第一连接部设置在位线背离基底一侧，磁性隧道结与第一连接部通过顶部电极连接。该存储芯片解决了相关技术中存储芯片制备过程中芯片光罩数量多，加工步骤多，制造成本高的问题，同时，也解决因逻辑区的金属互连高度高，导致金属填充工艺窗口较窄，存在工艺可靠性风险的问题。