SiC MOSFET器件及其制备方法

本发明属于SiC MOSFET器件技术领域，具体涉及一种SiC MOSFET器件及其制备方法。本发明的SiC MOSFET制备方法通过将现有的常规Pwell版、N+版和P+版三次光刻工艺简化为只有一次Pwell版工艺，其中关键的N+版改为由两次阻挡层淀积后，单独刻蚀掉第二阻挡层形成N+窗口区域，使Pwell、N+和P+之间都形成了自对准，简化了工艺流程，减小了窗口最小尺寸，可以使元胞宽度由原来的3um以上减小到2.5um以内，提高了元胞密度17%以上，提高了芯片的电流密度。