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Dossier
场效应晶体管激光增材制造方法、系统及其应用
InventionActive
10Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
中国科学技术大学苏州高等研究院; 中国科学技术大学
Inventor
杨亮; 黄若凡; 苏冠源; 陈雪飞; 王寻; 李大宇; 张雨生
IPC Classification
H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/60 (2025.01)H10D 62/80 (2025.01)H10D 64/66 (2025.01)H10D 64/68 (2025.01)B33Y 10/00 (2015.01)B33Y 30/00 (2015.01)B33Y 80/00 (2015.01)B33Y 70/00 (2020.01)
本发明公开了一种场效应晶体管激光增材制造方法、系统及其应用。场效应晶体管激光增材制造方法包括:以第一激光对栅极金属墨水、源极金属墨水和漏极金属墨水进行照射扫描形成栅极、源极和漏极,以第二激光对绝缘层墨水进行照射扫描形成绝缘层,以第三激光对半导体层墨水进行照射扫描形成金属氧化物半导体层。本发明实施例提供的场效应晶体管激光增材制造方法,加工精度高,最小特征尺寸<1 µm,相对喷墨打印(~10 µm)精度提高至少一个量级。
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