一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管

本申请涉及半导体技术，公开了一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管，包括：在主体上表面制作介质层后，在主体不同布局位置处分别制作相应的源极接触孔和栅极接触孔；在主体上表面制作正面金属层，并刻蚀正面金属层，分别形成连通源极接触孔的源极、连通主栅接触孔的主栅极、连通副栅接触孔的副栅极；在主体背面制作背面金属层作为漏极，得到SGT晶体管；其中，主栅极和副栅极相接、副栅极与源极断开时，SGT晶体管具有第一电容值；主栅极和副栅极断开、副栅极与源极相接时，SGT晶体管具有第二电容值；第一电容值大于第二电容值。本申请旨在实现可变电容的SGT晶体管的制作，以适配不同应用场景对输入电容的要求。