氮化物半导体装置和氮化物半导体装置的制造方法

本公开提供得到高的耐压的氮化物半导体装置和氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置具有：第一氮化物半导体层，包括沿着第一轴重叠的沟道层和阻挡层，并具有与所述第一轴垂直的第一面；以及第二氮化物半导体层和第三氮化物半导体层，使所述沟道层和所述阻挡层沿着与所述第一轴垂直的第二轴配置于所述第二氮化物半导体层与所述第三氮化物半导体层之间，在包含所述第一轴和所述第二轴的剖视观察时，所述第二氮化物半导体层具有被覆所述第一面的一部分的第一被覆部，所述第三氮化物半导体层具有被覆所述第一面的一部分的第二被覆部。