一种常关型场效应晶体管

本发明提供一种常关型场效应晶体管，包括：n型半导体层，其材料的禁带宽度＞2.0eV；沟槽栅结构，包括从n型半导体层第1主面向内延伸的多个栅极沟槽，各栅极沟槽中包括栅电极以及对栅电极形成包围的栅介质层和栅顶介质层，栅电极包括p型导电的电极材料或金属电极材料，两相邻栅极沟槽间距在30nm～400nm；n+型源极区，间断分布在n型半导体层第1主面各相邻栅极沟槽间的表层台面区域；源电极，与n型半导体层的上表面接触形成肖特基接触，与n+型源极区接触形成欧姆接触；漏电极，直接或间接接触n型半导体层第2主面并与之形成欧姆接触；当常关型场效应晶体管导通时，导电沟道是形成于n型半导体层中的积累型沟道。本发明可降低工艺难度，提高制品良率。