一种功率半导体器件

本发明目的是提出一种用以表征功率半导体器件的方式，并依托于此表征方式具体提供一种功率半导体器件，通过在器件元胞内引入斜坡区使器件表面与平面形成一定角度。利用斜坡缩小器件版图上横向尺寸，从而在维持器件耐压的同时降低器件所占面积，进而优化器件比导通电阻。本发明可与多种栅极工艺兼容，进一步优化器件电学性能，并引入场板结构，结合斜坡结构进而增强场板对漂移区电场的调制作用。同时本发明根据该横向功率半导体器件的实际生产需求，提供多种斜坡形成结构。本发明针对功率半导体器件，提供具有低比导通电阻和低横向版图尺寸的功率半导体器件。