一种用于碳化硅VDMOS的复合JTE结构及制备方法

本发明公开了一种用于碳化硅VDMOS的复合JTE结构及制备防范，包括：N衬底；N漂移层；JTE3区；JTE3保护环区在N漂移层上表面右端；源极P掺杂区在N漂移层上表面左端；JTE2区与JTE3区连接；JTE2台阶保护环；JTE1区与JTE2区连接；JTE1台阶保护环；P掺杂区在源极P掺杂区和JTE1区之间；源极N掺杂区与P掺杂区相接；锯齿过渡区在JTE1区上；高K介质层在JTE结构上；栅极介质层设于N漂移层、源极P掺杂区和源极N掺杂区上；栅极金属设于栅极介质层上；栅极掩蔽层设于栅极金属上；源极金属和场板设于栅极掩蔽层、源极N掺杂区和P掺杂区上。本发明减少了工艺步骤。