ONO介电介质栅极结构的SiC MOSFET芯片及制造方法

本发明提供了一种ONO介电介质栅极结构的SiC MOSFET芯片及制造方法，包括：N+衬底和N‑外延，在N‑外延内设有P‑well注入区、N+注入区、P+注入区；ONO栅极结构包括：依次堆叠设置的第一栅极氧化层、第一栅极SiN层、第二栅极氧化层、第一多晶硅、第三栅极氧化层；所述ONO栅极结构被ILD层包裹；在SiC与金属界面设有正面欧姆接触合金层，所述正面欧姆接触合金层上设有PAD层；背面依次设置有背面欧姆接触合金层、封装金属薄膜。本发明提供的芯片采用第一栅极氧化层、第一栅极SiN层，第二栅极氧化层的ONO结构方式，提高了SiC/SiO2的界面质量有效提高了沟道迁移率，具有高可靠性。