基于多栅极调控的3D集成短沟道IGZO薄膜晶体管及其制备方法

一种基于多栅极调控的3D集成短沟道IGZO薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管包括衬底，衬底上至少设置有IGZO有源层、介质层、源极和漏极，IGZO有源层上设置有栅极堆叠结构，栅极堆叠结构中包括至少两个栅极，各个栅极独立或协同控制，实现多态输出模式。本发明采用多个栅极独立或协同调控晶体管的工作模式，通过各栅极的独立或协同控制可以实现对沟道电场的精确多级控制，对短沟道效应起到抑制作用，解决了短沟道器件性能恶化等问题，实现了器件的单片集成，提升了芯片的整体集成度，同时保持甚至超越了传统平面器件的性能，这对于存储和计算应用具有重要意义，为实现更复杂的神经形态计算功能提供了更大的自由度，适用于低能耗高密度更复杂的电路系统。