一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备

本申请提出了一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备，涉及半导体器件领域。本申请提出的有源层结构包括第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层。其中，第一氧化物半导体层材料的禁带宽度大于3.7eV，第三氧化物半导体层的迁移率至少为50 cm·V·s，第二氧化物半导体层位于第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层之间，第二氧化物半导体层材料是锡的原子百分比含量在至少50%的多晶氧化物半导体。本申请解决了在光照条件下，由电离氧空位的扩散引起的器件阈值电压漂移的问题。