一种SiC TVS器件的多级刻蚀终端结构及其制作方法

本申请公开了一种SiC TVS器件的多级刻蚀终端结构及其制作方法，属于电磁脉冲防护器件领域，制作方法包括：在SiC TVS晶圆上基于介质(如氧化硅)或光刻胶的掩膜材质选用第一层光刻掩膜版制备第一级刻蚀掩膜图形；再对SiC材料干法刻蚀，形成第一级SiC刻蚀台面；选用第二层光刻掩膜版重复上述工艺(除掩膜版选取外)，形成第二级SiC刻蚀台面；重复执行，直至完全刻透SiC漂移层，获得阶梯状多级刻蚀SiC台面结构。终端结构采用如上述的制作方法获得。本申请能够在确保终端制作工艺与SiC商用线制程刻蚀工艺完全兼容的情况下，制备出高效高可靠性的SiC TVS器件的终端结构，有助于SiC TVS器件实现量产，并提升器件终端结构的长期电学可靠性。