半导体结构、功率器件及半导体结构的制备方法

本申请公开了一种半导体结构、功率器件及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括在衬底上形成外延层，在外延层的远离衬底的表面上形成硬掩模，硬掩模包括第一开槽，第一开槽暴露外延层的远离衬底的表面的至少部分，在第一开槽内填充半导体部，半导体部在第一方向的尺寸小于或等于0.5μm；第一方向平行于衬底。本申请提供了一种半导体结构的制备方法，用于形成品质良好的小尺寸的线条，避免了制备小尺寸线条时，由于小尺寸的光刻胶容易倒塌或者形貌异常导致最终制备得到的线条的相貌异常或者尺寸异常。