半导体装置

提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案和第二有源图案，在基底上；第一源极/漏极图案和第一沟道图案，在第一有源图案上；第二源极/漏极图案和第二沟道图案，在第二有源图案上；以及栅电极，与第一沟道图案和第二沟道图案中的每个交叉。沿着栅电极的水平延伸方向，第一沟道图案的上表面的第一宽度大于第二沟道图案的上表面的第二宽度，并且第一源极/漏极图案的上表面位于比第一沟道图案的上表面垂直更高的水平处。