半导体结构以及其制作方法

本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括下列步骤。提供硅基底，对硅基底进行图案化制作工艺，用以在硅基底中形成多个第一沟槽。硅基底的一部分被图案化制作工艺图案化而成为在水平方向上位于中相邻的两个第一沟槽之间的第一鳍状结构，且第一鳍状结构的上角落沿水平方向上向外凸出。对第一鳍状结构进行氧化制作工艺，第一鳍状结构的一部分被氧化制作工艺氧化而成为氧化物层。进行移除制作工艺，用以移除氧化物层，且第一鳍状结构的上角落通过氧化制作工艺与移除制作工艺而成为弧形侧壁。