双极型PNP管及集成电路

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种双极型PNP管及集成电路，包括：硅衬底；N型埋层，位于硅衬底内；外延层，位于硅衬底上表面且覆盖硅衬底的上表面；P型凹槽型隔离区域，位于外延层内且对应N型埋层的上表面；N阱区，位于P型凹槽型隔离区域所形成的凹槽区域内；深N阱区，位于外延层内且环绕P型凹槽型隔离区域设置；N阱区内设置第一P+区、第二P+区、第一N+区和P‑区；深N阱区内设置第二N+区；第一P+区为双极型PNP管的发射区，P‑区为双极型PNP管的集电区，N阱区为双极型PNP管的基区。本发明提供的双极型PNP管能够解决超高压工艺中PNP管在高温下工作会出现误开启而导致电路工作状态异常的问题。