一种3D电容器及其制备方法

本申请提供一种3D电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供3D电容器包括硅衬底；硅衬底上方依次设有绝缘层和第一金属层；第一金属层上方有多个垂直堆叠的功能层；每个功能层从下至上至少包括形成有多个沟槽的SiO层，以及位于所述SiO层之上的第二金属层，其中，在所述SiO层中，从下至上依次层叠设有第一下电极层、第一介电层及第一上电极层，第一下电极与第一金属层相连，第一上电极层的顶部与第一通孔相连；SiO层的至少一侧，还设有第二通孔；下方功能层的第二金属层与上方相邻功能层的第二金属层连接。本申请提供的3D电容器及其制备方法，可实现电容器容值的增加。