太阳电池及其制备方法

本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池的制备方法，包括如下步骤：提供一制绒后的硅衬底，硅衬底的表面具有氧化层；使用酸液对硅衬底进行刻蚀，去除部分氧化层，控制剩余氧化层的厚度为0.5nm~2nm，以剩余的氧化层作为防外延层；以包括硅烷和氢气的第一工艺气体于防外延层的表面上沉积本征硅层。本申请的太阳电池的制备方法能够在实现较好的防外延效果的同时，降低对硅衬底表面的绒面结构的损伤，进而实现较高的太阳电池的转换效率。