一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法

本发明公开一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法，属于电池技术领域。制备方法包括步骤：S1、对n型单晶硅衬底进行双面抛光；S2、LPCVD及硼扩散处理；S3、链式光刻去除BSG；S4、碱刻蚀；S5、LPCVD及磷扩散处理；S6、链式光刻去除PSG；S7、酸刻蚀去绕镀；S8、制绒；S9、ALD‑AlO镀膜；S10、制减反射膜；S11、制作背面电极。本发明方法能有效避免高温对电池造成的热损伤，减少BC电池结构中的缺陷，提升电池的钝化性能和光电转换效率。