光伏电池片的制备方法、光伏电池片及光伏组件

本申请关于一种光伏电池片的制备方法、光伏电池片及光伏组件，涉及光伏技术领域。其中，光伏电池片的制备方法可以包括：在硅基底上形成隧穿层，在隧穿层的背离硅基底的一侧沉积本征硅层，本征硅层包括第一区和第二区，第一区位于隧穿层和第二区之间，使第一区的晶粒尺寸大于第二区的晶粒尺寸，掺杂处理本征硅层，形成掺杂硅层，形成欧姆接触于掺杂硅层的金属电极。由于第一区的晶粒尺寸相对较大，光生载流子在第一区的晶粒内迁移的路径的占比相对较大，光生载流子在第一区内所能受到晶界的势垒和复合中心的不良影响相对较弱，可以有相对较多的光生载流子快速地移动至金属电极，因此本申请的光伏电池片的光电转换效率相对较大。