选择性发射极的制备方法和太阳能电池

本申请提供了一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池，选择性发射极的制备方法包括：提供硅衬底，硅衬底包括交替分布的栅线区和非栅线区；在硅衬底的一面上依次形成第一氧化硅层、第一掺杂源层和掩膜；刻蚀第一氧化硅层、第一掺杂源层和掩膜，以形成暴露出栅线区的多个沟槽；在多个沟槽内形成第二氧化硅层和第二掺杂源层，第一氧化硅层的致密度大于第二氧化硅层的致密度；以及采用热处理的方法使第一掺杂源层和第二掺杂源层中的掺杂元素扩散进入硅衬底中，以形成交替分布的第一掺杂区和第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度。