异质结电池制造方法和异质结电池

本申请涉及一种异质结电池制造方法和异质结电池。所述方法包括：对基材进行加工处理，以使基材的入光面覆盖透明导电氧化层；透明导电氧化层包括栅线接触区域和非栅线接触区域；非栅线接触区域的透明导电氧化层的厚度，小于栅线接触区域的透明导电氧化层的厚度；栅线接触区域包含栅线期望位置；在透明导电氧化层上沉积减反射膜；减反射膜在栅线期望位置开设有槽体；在槽体制备栅线，得到异质结电池。采用本方法能够提高异质结电池对光子的吸收利用效率。