背接触太阳电池及其制备方法、背接触光伏组件

本申请涉及背接触太阳电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳电池及其制备方法、背接触光伏组件。该背接触太阳电池，包括硅衬底、掺杂类型相反的第一掺杂层和第二掺杂层以及两种极性的焊盘组。硅衬底具有背光面。第一掺杂层与第二掺杂层设置在背光面上。第一掺杂层的局部与第二掺杂层的局部相接触形成导通块模组，导通块模组包括多个导通子块。两种极性的焊盘组沿第一方向间隔设置在背光面上，相邻的两个焊盘组的间距为D2，各焊盘组包括多个沿第二方向间隔设置的焊盘，焊盘与距离最近的导通子块的间距为D1，且1.5 mm≤D1≤D2，以使导通子块产生的热量对于焊盘的影响降至较低水平，有利于减少焊接失效问题。