太阳电池及其制备方法

本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池，包括硅衬底，以及依次层叠设置于硅衬底的表面上的钝化层、本征硅层以及掺杂硅层；钝化层由钝化剂和硅衬底的表面反应得到，钝化剂包括具有如下通式的化合物中的一种或多种：；其中，R选自羟基和取代的C烷基中的至少一种；R选自羧基和取代的C烷基中的至少一种；R和R连接于不相邻的点位上。本申请的太阳电池在实现较好的防外延效果的同时，还能够减少制备过程中的轰击损伤和副产物产生，进而提高太阳电池的转换效率和产品良率。