太阳能电池及其制备方法

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法，包括：半导体基底、第一极性结构、第二极性结构及混合钝化结构，其中半导体基底包括具有相邻接设置的第一区及第二区的第一面；第一、二极性结构分别位于第一、二区；混合钝化结构包括位于第一区且包括覆盖于第一极性结构的顶面的第一部分，及覆盖于第一极性结构靠近第二极性结构的侧壁上的第二部分的介质钝化层；位于包括位于半导体基底和第二极性结构之间的第三部分，及延伸至位于第二极性结构靠近第一极性结构的侧壁上的第四部分第二区的本征钝化层，第四部分与第二部分在垂直半导体基底的方向上接触交叠。上述太阳能电池及其制备方法避免了整面非晶硅沉积工艺中的分界钝化不足的问题，提升了器件性能。