背接触太阳电池及其制备方法

本申请涉及一种背接触太阳电池及其制备方法。本申请的背接触太阳电池，包括硅衬底，硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域和第二区域；第一区域内设置有第一钝化接触结构，第二区域内设置有第二钝化接触结构；背接触太阳电池还包括位于第一钝化接触结构和第二钝化接触结构接触之间用于间隔第一钝化接触结构和第二钝化接触结构的绝缘层；第二钝化接触结构部分覆盖绝缘层的远离硅衬底的表面。本申请的背接触太阳电池具有较大的PN结面积，具有较高的转换效率。