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Dossier
一种在硅衬底上的LED发光阵列及其制备方法
InventionActive
10Claims · 4 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
李国强; 杨涛; 王文樑; 向泓荻
IPC Classification
H10H 29/30 (2025.01)H10H 29/80 (2025.01)H10H 29/851 (2025.01)H10H 29/01 (2025.01)H10H 29/855 (2025.01)H10H 29/14 (2025.01)
本申请提出一种在硅衬底上的LED发光阵列及其制备方法,包括LED阵列芯片、倒装衬底、硅墙以及色转换层;所述LED阵列芯片键合在所述倒装衬底上;所述硅墙分布于LED阵列芯片的出光面,相邻的LED芯片被硅墙隔开;所述色转换层位于硅墙围的成空间内,并与LED阵列芯片出光面结合。LED芯片被硅墙隔开;能够有效隔离相邻LED芯片之间的光线;色转换层中的相邻像素点之间因为硅墙的遮挡;也不会被其周围的LED芯片发出的光所干扰,只会被处于该像素点正下方的LED芯片照射,避免色转换层中的光学串扰问题。本申请的在硅衬底上的LED发光阵列有效降低LED背光阵列与色转换层的距离,解决像素间距小于100μm及以下的LED发光阵列中存在的光学串扰问题。
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