一种基于电解质栅介质的N型聚合物晶体管的制备方法

本发明涉及电子信息技术领域，具体涉及一种基于电解质栅介质的N型聚合物晶体管的制备方法。包括以下步骤：半导体溶液和栅介质溶液的配制，栅介质溶液由聚偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物P(VDF‑co‑TrFE)、离子液体与聚合物基质共同溶解于溶剂配制。采用热蒸镀的方式，使用金金属颗粒，在衬底上制得源漏电极。在衬底上旋涂半导体溶液经退火处理形成聚合物半导体层。在半导体层上旋涂栅介质溶液经退火处理形成固态电解质栅介质层。采用热蒸镀制得铝栅电极，得到基于电解质栅介质的N型聚合物晶体管。该方法能够极大降低该类器件的工作电压，提高了器件的性能，并且展现出短程记忆特性，具有工艺简单，稳定性高和成本低的特点。