一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法

本申请公开了一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法，属于存储技术领域，该器件包括：衬底、牺牲层和自卷曲管状结构；自卷曲管状结构的第一端设置在牺牲层表面，自卷曲管状结构的第二端向内卷曲；自卷曲管状结构自外向内依次设置有绝缘保护层、应变驱动层、图形化的磁性功能层、图形化的金属电极层和刻蚀保护层；各层在预应力梯度作用下卷曲形成自卷曲管状结构；金属电极层包括主体部和延伸部；延伸部自自卷曲管状结构的第一端延伸至衬底表面。本申请通过采用薄膜自卷曲工艺得到自卷曲管状结构，并在自卷曲管状结构中集成图形化的磁性功能层和图形化的金属电极层，从而在具有高存储密度的同时，实现大规模、高良率、高集成密度制备。