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기록
电子设备、磁阻器件及其制备方法
발명유효
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
伍学钊; 朱政; 杨垒强; 吴迪
IPC 분류
H10N 59/00 (2026.01)H10N 50/10 (2023.01)H10N 50/01 (2023.01)H10D 86/85 (2025.01)H10D 86/01 (2026.01)H10D 1/20 (2025.01)H10D 1/00 (2025.01)
本申请公开了一种电子设备、磁阻器件及其制备方法。该磁阻器件包括:衬底;磁响应器件,设于所述衬底的一侧,且包括磁性功能层;电感线圈,与所述磁响应器件位于所述衬底的同一侧;所述电感线圈包括第一走线和第二走线,所述第二走线位于所述第一走线背向所述衬底的一侧;所述电感线圈还包括用于连接所述第一走线和所述第二走线的第一连线;其中,在所述衬底的厚度方向上,所述磁性功能层的下表面高于所述第一走线的下表面,所述磁性功能层的上表面低于所述第二走线的上表面。