基于铪锆氧/氧化碲异质结的自整流忆阻器及其制备和应用

本发明公开了一种基于铪锆氧/氧化碲异质结的自整流忆阻器及其制备和应用，以二氧化碲为蒸发源，将TiN/HZO的衬底置于真空蒸镀设备中蒸镀二氧化碲薄膜，最后在二氧化碲薄膜上蒸镀金属电极并进行空气退火得到所述自整流忆阻器，其表现出良好的开关特性和循环稳定性以及优异的自整流特性，还具有宽光谱响应，利用这些特性，可实现存储器、密码锁、光响应探测器、光突触、多模态神经形态计算单元等相关方面的应用。