一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型

本发明提供一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型，通过控制氧化铪基薄膜层中Zr掺杂的浓度以调控氧空位的浓度，有效调节氧空位的迁移速率，当施加外加电场后，氧离子在强电场作用下向顶电极界面迁移，留下带正电的氧空位，从而在氧化铪基薄膜层中形成由氧空位组成的导电细丝，使忆阻器处于低阻态，反向电场又会驱动氧离子与氧空位重新结合，使得导电细丝的尖端发生局部断裂，从而与顶电极产生间隙，使忆阻器恢复至高阻态，使忆阻器具备高度可控的阻变行为，忆阻器仿真模型基于忆阻器导电细丝生成的机理，建立导电细丝的动态演化方程，描述了忆阻器两端的电压差与流过忆阻器的电流的关系，为器件设计与电路优化提供了可靠的理论工具和预测能力。