铁电隧道结、存储器及铁电隧道结制备方法

本发明涉及集成电路技术领域，提供一种铁电隧道结、存储器及铁电隧道结制备方法，所述铁电隧道结包括：电极层、铁电层、导电功能层和半导体层，所述铁电层位于所述电极层和导电功能层之间，所述半导体层位于导电功能层背离所述铁电层的一侧，所述导电功能层的厚度小于等于10nm。本发明中，上述结构的铁电隧道结引入了导电功能层，从而提高了铁电隧道结的开关比、稳定性以及避免了读取电压比较高导致的功耗高的问题。