一种硅片及其处理方法

本申请实施例公开了一种硅片及其处理方法，属于半导体制造技术领域。硅片处理方法包括：根据硅片的初始电阻率ρ进行分类，形成至少一个处理组别，同一所述处理组别内，满足任意两片硅片的初始电阻率差值小于等于10ohm.cm；对同一处理组别所包含的硅片，采用相同工艺条件进行中子辐照；对中子辐照后的硅片进行退火处理，得到处理后的硅片；其中，通过中子辐照和退火处理，使处理后的硅片的目标电阻率ρ与初始电阻率ρ的比值为1：（1.2~5）。通过直接对硅片进行中子辐照处理，确保中子通量能够均匀穿透整片硅片，从而实现极高均匀性的嬗变掺杂，进而保证单片硅片内部的电阻率均匀性和优异的片间均匀性。