半导体工艺方法、场效应晶体管制备方法及半导体器件

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体工艺方法、场效应晶体管制备方法及半导体器件。其中，半导体工艺方法包括：提供衬底，衬底具有叠层结构，叠层结构包括交替堆叠的介质层和金属层；通过原子层沉积工艺在叠层结构的上表面沉积形成第一介质层；通过化学气相沉积工艺在第一介质层上表面沉积形成第二介质层；在第二介质层上表面和衬底下表面分别生长聚合物层；通过化学机械抛光工艺，去除第二介质层上表面的聚合物层，并露出第二介质层；通过湿法刻蚀工艺，去除第二介质层；在湿法刻蚀工艺中，对第二介质层的刻蚀速度大于对第一介质层的刻蚀速度。本发明可以提升半导体结构表面的一致性，提升制得的半导体器件的电学性能。