金属CMP后的清洗方法

本发明公开了一种金属CMP后的清洗方法，包括：在具有滚动刷的第一清洗模块中对完成了金属CMP的晶圆进行第一次清洗，第一次清洗中按照减少DIW连续接触时间和DIW总接触时间的要求设置第一循环步骤，以减少金属在DIW的作用下发生电偶腐蚀，采用化学药液进行刷冲来补偿DIW连续接触时间和DIW总接触时间的降低对清洗效果的降低，使清洗效果得到保持。在具有铅笔刷的第二清洗模块中完成对晶圆的第二次清洗，第二次清洗中按照减少DIW连续接触时间和DIW总接触时间的要求设置第二循环步骤，以减少金属在DIW的作用下发生电偶腐蚀。本发明能防止发生由DIW环境引起的电偶腐蚀，从而能改善金属CMP后的凹陷缺陷。