一种碳化硅外延片的清洗方法

本申请公开了一种碳化硅外延片的清洗方法，可用于半导体制造领域，该方法中，首先，将碳化硅外延片浸于伴随氮气鼓泡的第一SPM中，达到第一预设时长后对碳化硅外延片进行HQDR；第一SPM的温度为第一温度；而后，将碳化硅外延片浸于伴随溶液内循环的第二SPM中，达到第二预设时长后对碳化硅外延片进行HQDR；第二SPM的温度为第二温度，第二温度高于第一温度；继而，将碳化硅外延片浸于伴随溶液内循环的DHF中，达到第三预设时长后对碳化硅外延片进行QDR；最后，将碳化硅外延片浸于伴随溶液内循环的SC1中，达到第四预设时长后对碳化硅外延片进行QDR。由此，对汞残留和毛细管压痕进行了针对性的清洗，提升了清洗效果。