一种晶圆处理装置

本申请公开了一种晶圆处理装置，属于半导体制造技术领域，包括用于处理晶圆的反应器，反应器包括基座、支撑组件和加热组件。基座用于承载晶圆，支撑组件与基座连接，用于支撑并带动基座旋转，加热组件与基座相对且间隔设置，以加热基座上的晶圆。本申请中，基座具有承载晶圆的第一表面，加热组件具有与第一表面相对且间隔设置的第二表面，通过第二表面向第一表面散发热量，以加热第一表面上的晶圆。本申请中，第二表面包括与基座正对的第一区域，在第一区域中设置有至少一个曲率不等于零的子表面，通过曲率不等于零的子表面对加热组件散发的热量进行汇聚或发散，以调节晶圆的受热分布，降低加热组件的热量分布对晶圆受热分布的影响。