半导体器件及其制作方法

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成虚拟栅极以及包围虚拟栅极侧壁的第一层间介质层，去除虚拟栅极，在第一层间介质层内形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成牺牲层；在第一沟槽内形成第一金属层；去除部分厚度的第一金属层形成第二沟槽；去除牺牲层，在第一金属层侧壁与第一沟槽侧壁之间形成间隙；形成第二金属层，第二金属层填满间隙与第二沟槽，第二金属层与第一金属层共同构成金属栅极。本发明通过去除部分厚度的第一金属层以去除平坦化造成的残留物，同时形成覆盖第一金属层顶部与侧壁的第二金属层，如此即便第一金属层内还存在有残留物，由于第二金属层的存在也不会发生金属栅极失效的情况。