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案件記録
用于制造用于半导体组件的冷却装置的方法
発明有効
17請求項 · 11 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
亚历山大·基泽尔; 弗洛里安·施瓦茨; 克劳斯·布雷德
IPC分類
H10W 40/00 (2026.01)H10W 40/40 (2026.01)H10W 40/43 (2026.01)
本发明涉及用于制造用于半导体组件的冷却装置的方法。为了实现简单且成本适宜的制造,提出了以下步骤:制造基体、特别是金属的基体,该基体具有平坦的表面、第一侧面和与第一侧面相对布置的第二侧面,其中,向基体中引入从第一侧面到第二侧面连续伸展并且平行于表面的通道,其中,相邻的通道分别经由腹板连接;在两侧引入平行于表面延伸的接触槽和连接槽,其中,连接槽通过部分地去除布置在相邻通道之间的腹板而被布置在相邻的通道之间,其中,通道被布置在表面和接触槽之间并且连接槽比相应的接触槽更深地伸入到基体中;通过压制封闭通道,以形成闭合的通道结构;用传热流体填充通道结构,使得基体与传热流体直接接触。
外部リソース