一种直接液冷功率芯片结构及其制造方法

本发明提供了一种直接液冷功率芯片结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域，包括以下步骤：对封装基板的金属层进行表面预处理，以去除表面氧化物和有机污染物；在金属层中加工出微流道结构；将功率芯片的底部焊盘与金属层表面进行电气和热学互连，并使功率芯片盖设在微流道结构一侧形成密封盖板。本发明方法通过在封装基板的金属层中直接加工形成微流道结构，并使功率芯片盖设在微流道结构一侧形成密封盖板，使得冷却液能够紧贴功率芯片底部流动，能够更高效地导出功率芯片产生的热量，显著缩短散热路径、降低界面热阻、提高换热效率；本发明的器件整体结构紧凑，集成度显著提高，满足高功率密度、小型化封装的需求。