金属预制片、半导体器件及封装方法

本申请涉及一种金属预制片、半导体器件及封装方法，所述金属预制片中第一烧结层设置在金属层的第一面；第二烧结层设置在金属层的第二面；热分解键合胶至少设置在第一烧结层或第二烧结层上，热分解键合胶将第一烧结层预固定在待贴装芯片或将第二烧结层预固定在基板；热分解键合胶在烧结达到第一预设温度时产生挥发分解，使第一烧结层连接在待贴装芯片或第二烧结层连接在基板，实现金属预制片在芯片或基板上的精准且牢固临时固定，避免芯片在烧结前易在基板上脱落或偏移，并且确保热分解键合胶在烧结过程中完全且无残留地排出，最终获得洁净、高强的烧结互连界面，避免热分解键合胶对芯片造成污染，提高了金属预制片烧结的可靠性。