一种封装基板加工方法以及封装基板

本发明公开了一种封装基板加工方法以及封装基板，包括以下步骤：提供载板；在释放层背离载板的一侧贴合溅镀金属层，并在溅镀金属层背离载板的一侧划分桥接区和连接中介区，连接中介区位于桥接区外围，且连接中介区紧邻桥接区；提供一模块芯片，将模块芯片通过第一塑封材料部与连接中介区处的溅镀金属层键合；提供一桥接芯片，将桥接芯片放置于桥接区，将桥接芯片通过第二塑封材料部键合于溅镀金属层；对模块芯片和桥接芯片进行研磨，并使得模块芯片的第一铜柱向外暴露，桥接芯片的第二铜柱向外暴露；使用激光灼烧释放层。本发明采用模块芯片与桥接芯片分步键合、再统一研磨的方式，有效避免因直接电镀造成的铜柱密度异常问题。