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기록

多晶粒封装结构、芯片、电子设备及封装方法

발명유효
15청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

张玲; 吴中夏; 柴路

IPC 분류

H10W 74/10 (2026.01)H10W 74/01 (2026.01)H10W 72/20 (2026.01)H10W 72/50 (2026.01)H10W 72/00 (2026.01)H10W 70/62 (2026.01)

本申请提供一种多晶粒封装结构、芯片、电子设备及封装方法。多晶粒封装结构包括:第一晶粒、第二晶粒、基板;所述第一晶粒与所述第二晶粒之间通过凸点焊接;所述第一晶粒与所述第二晶粒之间填充有绝缘胶;所述第一晶粒设置于所述基板上;所述第一晶粒的金属衬垫通过金属线与基板连接;所述第一晶粒的第一表面还包括防溢结构,且所述防溢结构设置于所述第一晶粒的凸点与所述金属衬垫之间;所述防溢结构用于将所述绝缘胶向所述金属衬垫流动的溢胶距离限制至小于或等于预设溢胶距离,所述预设溢胶距离小于所述绝缘胶在所述第一表面的自然流动距离。该封装结构有助于减少芯片封装尺寸。