硅单晶制造装置

本发明是一种硅单晶制造装置，具备：腔室，其内部配置有石英坩埚、以及将该石英坩埚内的硅多晶原料加热熔融而制成原料熔液的加热器；气体导入配管；以及气体排放配管，该硅单晶制造装置是通过CZ法制造硅单晶的装置，其中，气体排放配管具有各自具有接头部的多个配管、以及能够通过流通冷却水进行液冷的管夹，多个配管的接头部彼此将密封材料夹持于其间而对置，并且，该对置的接头部彼此被所述管夹夹持，由此，多个配管彼此连接，通过管夹的液冷，能够进行接头部彼此之间的密封材料的冷却。由此，提供一种CZ硅单晶制造装置，其气体排放配管易于处置，并能够防止配管彼此之间的密封材料劣化。